【浩博电池资讯】3节锂电池保护电路

    2）选择3或4节电池

    3）欠压维护

    4）充电

    充电期间，假如芯片处于休眠状况，则放电FET依然关断，充电电流流过放电FET的体二极管；直到每节电池的电压高于欠压阈值，则放电FET导通。休眠期间，充电FET处于周期性的导通和关断方法，导通时刻为7ms，关断时刻为10ms。

    UCC3957具有内部电池维护。假如内部AN1，AN2或AN3断线，芯片可检测到并可预防电池组过压。

    假如某一电池充电电压超越正常过充电阈值，则充电FET关断，以避免过充。关断一向保持到该电池电压降低到过充电阈值。在大多数维护规划中，在该过压维护带（正常值—过充电阈值，或反之，过充电阈值—正常值）之间，充电FET一向保持完全的关断，此刻放电电流有必要经过充电FET的体二极管，该二极管的压降高达1V，从而在充电FET内发生极大的功耗，消耗宝贵的电池功率。

    7）过流维护

    榜首级过流维护阈值为150mV，对应0.025Ω的传感电阻，电流为6A。假如峰值放电电流超越该值所设定的时刻(由接在CDLY1和地之间的电容设定),芯片进入间歇作业形式。间歇形式时的占空比约为6％，即关断时刻大约是导通时刻的16倍。导通时刻对电容值的联系曲线如图4所示。

    在图3中，CDLY1=0.022μF时，则榜首级过流（当电流大于6A而小于15A时）导通时刻为10ms，关断时刻为160ms，占空比为5.9％；当电流超越15A时假如不用CDLY2，则第二级过流维护的占空比为0.1％；假如CDLY2为22pF时，则导通时刻为800μs，占空比为0.5％。